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【異質(zhì)結(jié)】HIT太陽(yáng)能電池專利技術(shù)分析

核心提示:HIT(HITHetero-junctionwithIntrinsicThinlayer,以下簡(jiǎn)稱HIT)太陽(yáng)能電池的PN結(jié)是由非晶硅/單晶硅HIT結(jié)構(gòu),該電池在單晶硅襯底上依次淀積 本征非晶硅薄膜和摻雜非晶硅薄膜,形成HIT太陽(yáng)能電池,HIT界面質(zhì)量的高低將直接影響HIT太陽(yáng)能電池的性能,本征非晶硅層的插入有效鈍化了HIT界面。
     HIT(HITHetero-junctionwithIntrinsicThinlayer,以下簡(jiǎn)稱HIT)太陽(yáng)能電池的PN結(jié)是由非晶硅/單晶硅HIT結(jié)構(gòu),該電池在單晶硅襯底上依次淀積 本征非晶硅薄膜和摻雜非晶硅薄膜,形成HIT太陽(yáng)能電池,HIT界面質(zhì)量的高低將直接影響HIT太陽(yáng)能電池的性能,本征非晶硅層的插入有效鈍化了HIT界面。

HIT太陽(yáng)能電池既利用了薄膜太陽(yáng)能電池的制造工藝優(yōu)勢(shì),又發(fā)揮了晶體硅和非晶硅的材料性能特點(diǎn),其具有以下顯著優(yōu)點(diǎn):

(1)低溫工藝,HIT太陽(yáng) 能電池結(jié)合了薄膜太陽(yáng)能電池低溫(200℃~250℃)制造的優(yōu)點(diǎn);

(2)高效率, HIT電池繼承了單晶硅的高遷移率特點(diǎn),獨(dú)有的帶本征薄層的HIT結(jié)構(gòu),降 低了HIT界面復(fù)合,提高了電池效率;

(3)高穩(wěn)定性,HIT電池的光照穩(wěn)定性和 溫度穩(wěn)定性好;

(4)低成本,HIT太陽(yáng)能電池的厚度薄, 可以節(jié)省硅材料。

HIT太陽(yáng)電池雖然誕生的時(shí)間不長(zhǎng),但憑借其廉價(jià)高效的巨大優(yōu)勢(shì)迅速搶占國(guó)際光伏市場(chǎng),成為目前太陽(yáng)電池領(lǐng)域中耀眼的一顆新星。為了研究HIT太陽(yáng)能電池專利技術(shù)的發(fā)展情況,利用S系統(tǒng)中的CNABS、CNTXT、 SIPOABS、 DWPI等數(shù)據(jù)庫(kù),通過IPC分類號(hào)、準(zhǔn)確的關(guān)鍵詞、轉(zhuǎn)庫(kù)檢索,獲得初步結(jié)果后去重去噪,然后結(jié)合S系統(tǒng)中的統(tǒng)計(jì)命令和Excel對(duì)該領(lǐng)域的中國(guó)專利申請(qǐng)和全球?qū)@暾?qǐng)進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)分析,統(tǒng)計(jì)的時(shí)間節(jié)點(diǎn)2015年4月。

1、中國(guó)專利申請(qǐng)分析

本節(jié)主要對(duì)中國(guó)專利申請(qǐng)狀況的趨勢(shì)以及專利重要申請(qǐng)人進(jìn)行分析。 圖1-1為HIT太陽(yáng)能電池的中國(guó)歷年專利申請(qǐng)量分布,從圖中可以看出,HIT 太陽(yáng)能電池在中國(guó)的申請(qǐng)量重點(diǎn)分布在2009年以后,在 2004-2009年期間,專 利申請(qǐng)量較小且無(wú)明顯增長(zhǎng)勢(shì)頭,說明此階段HIT太陽(yáng)能電池在我國(guó)處于剛 剛起步階段,市場(chǎng)需求還不大;在2009年至2012年期間,專利申請(qǐng)量大幅度增長(zhǎng),技 術(shù) 生 長(zhǎng)率呈上升趨勢(shì), 屬于技術(shù)發(fā)展期,中 國(guó) 市 場(chǎng) 需求逐步打開。

【異質(zhì)結(jié)】HIT太陽(yáng)能電池專利技術(shù)分析

圖1-1 中國(guó)歷年專利申請(qǐng)量分布

【異質(zhì)結(jié)】HIT太陽(yáng)能電池專利技術(shù)分析

圖1-2 主要專利申請(qǐng)人排名

圖1-2為國(guó)內(nèi)主要的申請(qǐng)人,從圖中可以看出,HIT太陽(yáng)能電池的中國(guó) 專利申請(qǐng)中,申請(qǐng)量排名前五位的為常州天合光能有限公司、西安近代化 學(xué)研究所、 華南理工大學(xué)、山東力諾太陽(yáng)能電力股份有限公司和吉林大學(xué), 而且與其他申請(qǐng)人的差別較大,說明在我國(guó)的專利申請(qǐng)中,專利申請(qǐng)人比較集中,出現(xiàn)了具備一定競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力的龍頭企業(yè),同時(shí)研究所和高校的申請(qǐng) 量也較大,說明HIT太陽(yáng)能電池已應(yīng)用于產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)并投入市場(chǎng)中,吸引了學(xué) 者的研究,具有一定的研究?jī)r(jià)值。

2、全球?qū)@治?/p>

本節(jié)主要對(duì)國(guó)外申請(qǐng)專利進(jìn)行分析,從專利申請(qǐng)趨勢(shì)及專利申請(qǐng)國(guó)家 區(qū)域分布進(jìn)行分析。圖2-1為HIT太陽(yáng)能電池的全球歷年專利申請(qǐng)量分布, 從圖中可以看出, HIT太陽(yáng)能電池在全球的申請(qǐng)量重點(diǎn)分布在2008年以后, 在2000年至2007年期間,專利申請(qǐng)量很小且無(wú)明顯增長(zhǎng)勢(shì)頭,此 時(shí) 說 明 HIT 太陽(yáng)能電池剛剛處于起步階段,市場(chǎng)需求還不大;在2009年至2012年期間, 專利申請(qǐng)量增長(zhǎng)幅度較大,技 術(shù) 生 長(zhǎng)率呈上升趨勢(shì),屬于技術(shù)發(fā)展期;截止 到統(tǒng)計(jì)的時(shí)間節(jié)點(diǎn), 2013年之后的專利申請(qǐng)由于公開時(shí)間滯后的原因,而 導(dǎo)致數(shù)據(jù)不完整,尤其是2014年的申請(qǐng)量下降趨勢(shì)非常明顯。

【異質(zhì)結(jié)】HIT太陽(yáng)能電池專利技術(shù)分析

圖2-1 全球歷年專利年代分布

圖2-2中示出了HIT太陽(yáng)能電池在全球?qū)@暾?qǐng)目標(biāo)國(guó)的國(guó)家區(qū)域分 布, 從圖中可以看到,中 國(guó) 是 最 為 重要的目標(biāo)國(guó)家,也是原創(chuàng)技術(shù)實(shí)力最強(qiáng) 的國(guó)家;其 次 為 美 國(guó) 、世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織、日本、歐洲專利局、韓國(guó)、中 國(guó) 臺(tái) 灣 。從數(shù)據(jù)來看,美國(guó)、 世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織、 日本,是 該 領(lǐng)域高度關(guān)注的競(jìng)爭(zhēng) 市場(chǎng),是 該 技 術(shù) 的 主 要生產(chǎn)應(yīng)用國(guó)家,HIT太陽(yáng)能電池技術(shù)具有較好的市場(chǎng)前景。

【異質(zhì)結(jié)】HIT太陽(yáng)能電池專利技術(shù)分析

圖2-2 專利申請(qǐng)目標(biāo)國(guó)分布

4、結(jié)語(yǔ)

通過上面的分析可以看出,HIT太陽(yáng)能電池技術(shù)正處于快速發(fā)展階段, 申請(qǐng)國(guó)家主要集中在中國(guó),其不僅申請(qǐng)的專利數(shù)量多,還掌握了大部分的 核心技術(shù)。在我國(guó)的專利申請(qǐng)中,有很多高校和企業(yè)的申請(qǐng)人,申請(qǐng)人較為 集中,申請(qǐng)量較大,在申請(qǐng)數(shù)量以及研究深度等方面均達(dá)到一定規(guī)模;從目標(biāo)國(guó)家的申請(qǐng)量方面的分析可以看出,中國(guó)在 該 領(lǐng)域的市場(chǎng)還是有發(fā)展?jié)摿Φ?,在今后的發(fā)展中,國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域的申請(qǐng)人應(yīng)多研究和借鑒前沿技術(shù),加強(qiáng)專利布局 ,重視核心技術(shù)的外圍開發(fā),以保持和繼續(xù)增強(qiáng)我國(guó)技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力。

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